0
0
2482
Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсированного состояния>
Автор:
Лошкарев Иван Дмитриевич
Год:
2013
Язык:
Русский
Страниц:
18
Описание:
Лошкарев И.Д. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсированного состояния> / Лошкарев Иван Дмитриевич; [Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]. - Новосибирск, 2013. - 18 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 15-17 (7 назв.)
Рейтинг по отзывам:
4.5
Материалы:
Рубрики:
–
Примечания:
Библиогр.: с. 15-17 (7 назв.)
Дата создания:
2022-03-31 11:31:56
Соц. сети:
Важно
Пожалуйста, помогите актуализировать информацию
Загрузить фотографию актуальной обложки книги
Дополнить или обновить информацию о книге
