0
0
1510
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н. : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Автор:
Шашкин Илья Сергеевич
Год:
2012
Язык:
Русский
Страниц:
16
Коллекции:
Авторефераты
Описание:
Шашкин И. С. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н. : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> / Шашкин Илья Сергеевич; [Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе]. - Санкт-Петербург, 2012. - 16 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 15 (5 назв.)
Рейтинг по отзывам:
4.5
Материалы:
Рубрики:
–
Примечания:
Библиогр.: с. 15 (5 назв.)
ББК:
22.33
Скачать:
Просмотр и скачивание в формате PDF
Дата создания:
2021-03-08 11:57:49
Соц. сети:
Важно
Пожалуйста, помогите актуализировать информацию
Загрузить фотографию актуальной обложки книги
Дополнить или обновить информацию о книге
