0
0
1112
Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si(111) при облучении медленными электронами : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.04
Автор:
Хожиев Шерали Тешаевич
Год:
2001
Язык:
Русский
Коллекции:
Авторефераты
Описание:
Хожиев Ш. Т. Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si(111) при облучении медленными электронами : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.04 / Акад. наук Респ. Узбекистан, Ин-т электроники им. У.А.Арифова. - Ташкент, 2001. - 21, [1] с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 18-20 (15 назв.)
Рейтинг по отзывам:
4.5
Материалы:
Рубрики:
–
Примечания:
Рез. на узб. и англ. яз. . - Библиогр.: с. 18-20 (15 назв.)
Скачать:
Просмотр и скачивание в формате PDF
Дата создания:
2021-08-10 21:08:14
Соц. сети:
Важно
Пожалуйста, помогите актуализировать информацию
Загрузить фотографию актуальной обложки книги
Дополнить или обновить информацию о книге
