0
0
2725
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.07
Автор:
Смирнов Александр Николаевич (канд. физ.-мат. наук)
Год:
2001
Язык:
Русский
Страниц:
24
Коллекции:
Авторефераты
Описание:
Смирнов А. Н. Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.07 / Смирнов А.Н.; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - СПб., 2001. - 24 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 23-24
Рейтинг по отзывам:
4.5
Материалы:
Рубрики:
–
Примечания:
Библиогр.: с. 23-24
ББК:
22.33
Скачать:
Просмотр и скачивание в формате PDF
Дата создания:
2020-11-14 18:58:50
Соц. сети:
Важно
Пожалуйста, помогите актуализировать информацию
Загрузить фотографию актуальной обложки книги
Дополнить или обновить информацию о книге
