Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н
2011
Купить
Краткое содержание:
Экранизация книги

Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н

Автор:
Антанавичюс Римантас Пятрович
Год:
1986
Язык:
Русский
Страниц:
16
Описание:
Антанавичюс Р.П. Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. - Вильнюс, 1986. - 16 с. - Список работ авт.: с. 14-16
Рейтинг по отзывам:
4.5
Материалы:
Реферат, Курсовая, ВКР/Диплом, Диссертация
Рубрики:
–
Примечания:
ДСП. Экз. № 000096 . - Список работ авт.: с. 14-16
Дата создания:
2020-02-02 06:43:15
Соц. сети:
Важно
Реставрация книги
Пожалуйста, помогите актуализировать информацию
Загрузить фотографию актуальной обложки книги
Дополнить или обновить информацию о книге

Купить

Реферат по теме Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н

Заказать реферат Узнать стоимость Скачать пример
Помогите сайту стать лучше, ответьте на несколько вопросов про книгу:
Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н
Опросы
Это классическая или современная книга?
Классика
Современная
Не знаю
Содержание

Реставрация Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н

Мойка листов, чистка, отбеливание, устранение заломов, восстановление разрывов, следов от влаги, травление насекомых, реставрация обложки и корешка, устранение укусов от собак и восстановление заломов на картоне, восстановление после падений, восстановление тиснения и рисунков, художественная покраска всех элементов обложки от мастеров Ленинской библиотеки. Мелкий ремонт (удаление пятен, плесени) или реставрацию обложки, уголков, корешка, листов, переплета книги

Показать контакты
Объявление о покупке (разыскивается книга)
Объявление о продаже
Принимаются только объявления о покупке книги.
Внимание, объявления модерируются администрацией.
Принимаются только объявление о продаже книги.
Внимание, объявления модерируются администрацией.
Рецензии и отзывы
Прикрепить файл
Похожие книги
Информация от пользователей
Азат Нагирян
Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga₁₋x InxSb и исследование их электрофизических свойств в области малых объемных деформаций : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к. ф.-м. н. В книге описывается ―создание туннельных структур на основе материалов GaAs, GaS, InGaSb, InSb с использованием процессов направленной диффузии и фотолитографии‖. Для легирования используется излучение полупроводникового лазера, а также рентгеновское и электронографическое излучение. В книге описаны способы создания туннельных структур, особенности их структуры и свойства в широком диапазоне изменения режимов отжига и облучения.
Прикрепить файл
Книга находятся в категориях.