IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

897

Купить

Краткое содержание:

IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Name: IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)
Rating: 4.5

Год:

1973

Язык:

Английский

Коллекции:

Иностранная периодика

Описание:

IEEE Transactions on electron devices / Professional technical group on electron devices. Vol.20, №2: , (Spec. issue on amorphous semiconductor devices). - 1973

Рейтинг по отзывам:

4.5

Материалы:

Реферат, Курсовая, ВКР/Диплом, Диссертация

Рубрики:

–

Дата создания:

2020-03-14 10:17:30

Соц. сети:

Важно

Реставрация книги

Пожалуйста, помогите актуализировать информацию

Загрузить фотографию актуальной обложки книги

Дополнить или обновить информацию о книге

Купить

Лабиринт

150р. Завтра

Самовывоз

Посмотреть
Яндекс Маркет

150р. Завтра

Самовывоз

Посмотреть
Ozon

Бесплатно в пункт выдачи

Посмотреть
AliExpress

Бесплатно

Посмотреть
Буквоед

200р. Сегодня

Самовывоз

Посмотреть
ЛитРес

Бесплатно

Недоступно
Подписные издания

100р. 2-3 дн.

Самовывоз

Посмотреть
Smart Reading

300р. 2-3 дн.

Посмотреть
Миф

250р. Завтра

Посмотреть
AbeBooks

100р. 2-3 дн.

Посмотреть
Читай-город

250р. Завтра

Посмотреть
Mynamebook

300р. Сегодня

Посмотреть
Magic-kniga

75р. Завтра

Самовывоз

Посмотреть
Альпина книги

130р. 2-3 дн.

Самовывоз

Посмотреть
Искусница

120р. 2-3 дн.

Посмотреть

Реферат по теме IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Заказать реферат Узнать стоимость Скачать пример

Курсовая по теме IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Заказать курсовую Узнать стоимость Скачать пример

ВКР/Диплом по теме IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Заказать диплом Узнать стоимость Скачать пример

Диссертация по теме IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Заказать диссертацию Узнать стоимость Скачать пример

Заработать на знаниях по теме IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Заработать от 15 000 руб. до 150 000 руб.

Помогите сайту стать лучше, ответьте на несколько вопросов про книгу:
IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Опросы

Реставрация IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices)

Мойка листов, чистка, отбеливание, устранение заломов, восстановление разрывов, следов от влаги, травление насекомых, реставрация обложки и корешка, устранение укусов от собак и восстановление заломов на картоне, восстановление после падений, восстановление тиснения и рисунков, художественная покраска всех элементов обложки от мастеров Ленинской библиотеки. Мелкий ремонт (удаление пятен, плесени) или реставрацию обложки, уголков, корешка, листов, переплета книги

Показать контакты

Объявление о покупке (разыскивается книга)

Объявление о продаже

Рецензии и отзывы

Егор Петров

IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices). Аннотация: fact consensus.

Информация от пользователей

Азат Нагирян

IEEE Transactions on electron devices. Vol.20, №2 : (Spec. issue on amorphous semiconductor devices). Аннотация: В статье описывается подход к проектированию и разработке гетероструктурных фотоэлектронных устройств на основе новых материалов. Предложена оригинальная методика проектирования, которая позволяет сократить время разработки и снизить стоимость проекта. Данная методика основана на создании прототипа устройства с помощью моделирования в программном пакете SolidWorks. Ключевые слова: гетероструктура, фотоэлектронный прибор, моделирование, программное обеспечение.